AI 시대를 뒷받침할 차세대 메모리 전쟁
AI 기술이 고도화될수록 데이터 처리 속도와 용량은 기하급수적으로 늘어나고 있습니다. 그런데 기존 메모리 구조는 이 속도를 따라가지 못하고 있는데요. 이런 병목 현상을 해결하기 위해 삼성전자와 SK하이닉스가 미국 캘리포니아에서 열리는 FMS 2026에서 치열한 기술 경쟁을 펼치고 있습니다.
양사는 HBM 이후를 겨냥한 이른바 포스트 HBM 시대의 주도권을 놓고 각자의 로드맵을 제시했는데요. 단순한 성능 경쟁을 넘어 메모리 아키텍처 자체를 뜯어고치려는 시도가 눈에 띕니다.
구조를 바꾸는 삼성, 용량을 끌어올리는 SK
삼성전자는 메모리 중심의 AI 아키텍처를 내세우며 구조적 혁신에 방점을 찍었습니다. 평면 미세화의 한계를 극복하기 위해 셀과 트랜지스터를 입체화한 3D D램을 선보였고, GPU와 HBM을 수직으로 적층해 연결하는 zHBM 기술도 제시했습니다. 이는 기존 2D 구조에서 벗어나 메모리 자체를 3차원적으로 재설계하겠다는 의지가 담긴 겁니다.
반면 SK하이닉스는 고용량과 고효율을 앞세워 시장의 다른 축을 공략하고 있습니다. 샌디스크와 손잡고 차세대 HBM으로 불리는 고대역폭 낸드플래시, 이른바 HBF의 첫 표준 규격을 공개했는데요. HBM의 속도와 낸드의 대용량 특성을 결합한 이 기술은 AI 추론 확대에 따른 대역폭과 용량 확장성 문제를 동시에 해결할 수 있다는 평가를 받고 있습니다. 여기에 10세대 375단 4D 낸드까지 더해져 AI 인프라에 최적화된 고성능 eSSD 양산도 내년 초 시작할 예정입니다.
표준 주도권을 둘러싼 치열한 경쟁
사실 이번 대결은 단순히 기술력을 선보이는 자리가 아닙니다. 차세대 메모리의 산업 표준을 누가 주도하느냐의 문제이기도 한데요. SK하이닉스가 HBF의 표준 규격을 먼저 공개한 것은 향후 생태계 조성에서 유리한 고지를 점하려는 포석으로 풀이됩니다.
삼성전자 역시 zHBM과 3D D램을 통해 구조적 혁신의 가능성을 보여주며 맞서고 있습니다. AI 반도체 시장이 커질수록 메모리의 역할은 더욱 중요해지고 있고, 이 시장에서 기술 표준을 확보하는 기업은 향후 수년간의 수익 구조에서도 큰 이점을 가지게 될 겁니다.
양사의 경쟁이 치열해지는 만큼, 소비자와 기업 모두에게 더 나은 메모리 솔루션이 빠르게 제공될 수 있다는 점에서는 긍정적인 신호로 읽힙니다. 다만 어떤 기술이 산업 표준으로 자리 잡을지는 아직 지켜봐야 할 부분입니다.