AI 호황에 사라진 중국발 저가 공세…CXMT, 실리 택해 세계 4위로

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4달 전 수정 · 2026년 7월 6일 오전 8:01

발행: 2026년 7월 6일 오전 6:46

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AI 호황으로 범용 D램 공급이 부족해지자 중국 CXMT가 저가 공세 대신 실리 전략을 택해 글로벌 4위로 급부상했습니다. EUV 없이 DUV와 복수 패터닝으로 기술 격차를 3년 수준으로 좁혔으나 HBM 등 고부가 영역에서는 한국이 우위를 유지하고 있습니다. 향후 중국의 범용 D램 기술 축적이 AI 메모리 시장의 변수가 될 수 있다는 관측이 나옵니다.

AI 호황 속 사라진 중국발 저가 공세

AI 데이터센터 투자가 본격화하면서 메모리 시장의 수급 역학 관계가 크게 변했습니다. 특히 삼성전자와 SK하이닉스, 마이크론 등 메모리 3강이 HBM과 고용량 서버용 D램 생산에 집중하면서 범용 D램 공급이 부족해졌는데요. 이런 틈새를 노렸던 중국 최대 D램 업체 CXMT는 예상과는 전혀 다른 전략을 택했습니다.

시장에서는 중국 업체들이 증설 뒤 저가 물량으로 공세를 펼칠 것으로 우려했지만, CXMT는 오히려 삼성전자 등과 비슷한 가격 수준으로 제품을 판매했습니다. AI 수요 폭발로 가격 결정권이 공급업체 측으로 기울자, 무리한 가격 인하보다 실리를 챙기는 전략이 더 이득이었던 겁니다. 덕분에 CXMT는 글로벌 D램 시장 점유율을 8% 안팎까지 끌어올리며 세계 4위 업체로 자리 잡았습니다. 매출 역시 2023년 이후 급격히 늘어 중국 반도체 역사상 최대 규모로 꼽히는 IPO까지 추진 중입니다.

EUV 없이 달리는 추격의 현실

중국의 메모리 반도체 성장은 EUV 노광장비 없이 이뤄낸 성과라는 점에서 주목받습니다. 미국 수출 규제로 7나노미터 이하 초미세 공정에 필수적인 EUV 확보가 막히자, CXMT는 기존 DUV 장비에 복수 패터닝 기술을 접목하는 방식으로 한계를 극복했습니다. 이를 통해 10나노급 3세대 공정 기반 DDR5를 양산했고, 1a 공정 수준의 기술력도 확보한 것으로 알려졌습니다.

하지만 한국 기업들이 이미 1c 공정을 양산하는 상황에서 기술 격차는 여전히 존재합니다. EUV 없이는 1a 이후 공정의 수율 확보가 어렵고, 핵심 장비별로는 선진 업체와 2년에서 15년 사이의 격차가 난다는 분석이 나옵니다. 다만 중국 정부는 빅펀드를 통해 장비와 소재 국산화에 공격적으로 투자하며 D램 자급률을 20~30% 수준까지 끌어올리고 있어 장기적인 추격 동력은 계속 쌓이고 있습니다.

범용 D램 축적이 AI 메모리 미래를 바꾸나

현재로서는 고부가가치 제품인 HBM 시장에서 한국 기업들이 압도적인 기술 우위를 유지하고 있습니다. SK하이닉스와 엔비디아의 협력 구도가 대표적이죠. 문제는 중국이 범용 D램에서 쌓은 생산 경험과 기술력이 향후 AI 메모리 시장의 변수가 될 수 있다는 점입니다.

일각에서는 중국이 과거 LCD와 OLED 시장에서 보여줬던 것처럼, 메모리 분야에서도 끈질긴 추격으로 기술적 우위를 뒤집을 수 있다고 경고합니다. CXMT가 IPO를 통해 확보한 자금을 차세대 D램 연구와 설비 투자에 쏟아붓고 있는 만큼, 단순한 범용 제품 중심의 추격에서 벗어나 고부가 경쟁으로 영역을 넓힐 가능성도 배제할 수 없습니다. 향후 수년간 메모리 시장은 HBM과 차세대 서버 D램 중심의 고부가 경쟁이 핵심이 될 전망인데, 중국의 메모리 기술 축적이 이 판세에 어떤 영향을 미칠지 주목됩니다.