HBM5 세계 최초 공개, AI 메모리 패권 경쟁 본격화
삼성전자가 대만 타이베이에서 열린 컴퓨텍스 2026에서 8세대 고대역폭메모리 HBM5의 실물 모형을 세계 최초로 공개했습니다. 이는 차세대 AI 메모리 시장을 선점하겠다는 의지를 명확히 보여주는 행보인데요. 송재혁 최고기술책임자(CTO)는 급변하는 AI 산업 환경에서 메모리와 파운드리, 로직, 패키징을 모두 아우르는 토탈 솔루션 경쟁력이 무엇보다 중요해졌다고 강조했습니다.
HBM5의 핵심은 발열 문제를 획기적으로 개선한 HPB(Heat Path Block) 구조입니다. 이는 다이 사이에 별도의 열 전달 경로를 마련해 열 저항을 낮추는 방식인데요, 마치 굴뚝처럼 열을 효율적으로 배출하는 구조로 고집적 AI 환경에서 시스템 안정성을 크게 높일 것으로 기대됩니다. 삼성전자는 이 HPB 기술을 이미 HBM4E에서 검증을 마쳤으며, HBM5부터 본격적으로 적용할 계획입니다.
시총 톱10 진입, 반도체 업황 회복 신호탄
삼성전자는 이날 장중 시가총액이 1조 5,530억 달러에 달하며 글로벌 기업 시총 순위 10위에 안착했습니다. 페이스북과 인스타그램을 거느린 메타를 제치고 처음으로 톱10 클럽에 들어갔는데요, 장중 한때는 테슬라까지 넘어서며 9위까지 오르기도 했습니다.
현재 글로벌 시총 상위권은 엔비디아가 5조 4,340억 달러로 1위를 차지하고 있으며, 알파벳과 애플이 뒤를 잇고 있습니다. 삼성전자의 시총 상승은 단순한 주가 급등을 넘어 AI 반도체 수요 회복과 기술력에 대한 시장의 신뢰가 반영된 결과로 풀이됩니다. 반면 경쟁사인 SK하이닉스는 주가 하락으로 시총 순위가 13위로 밀려나며 대조적인 모습을 보였습니다.
토탈 솔루션으로 차별화, 기술 격차 벌리기 나서
삼성전자가 HBM5에 자체 파운드리 2나노 공정으로 제작한 베이스 다이를 적용하기로 한 점도 주목할 부분입니다. 메모리와 파운드리 역량을 내부에서 결합해 시너지를 내겠다는 전략인데요, 이를 통해 경쟁사 대비 개발 속도와 비용 효율성에서 우위를 점하려 합니다.
아울러 지난달 업계 최초로 샘플 출하를 마친 HBM4E 제품의 웨이퍼와 칩셋도 함께 전시되었습니다. HBM4E는 최선단 1c D램과 4나노 파운드리 베이스 다이를 결합해 초당 4TB 이상의 데이터 처리 대역폭을 구현했습니다. HBM4E의 성공적인 양산과 HBM5의 조기 로드맵은 삼성전자가 AI 메모리 시장에서 기술 격차를 벌리려는 의도를 보여줍니다. 다만 SK하이닉스와의 치열한 기술 경쟁은 앞으로도 계속될 전망입니다.