불붙은 6세대 AI메모리 경쟁
AI 시대의 핵심 부품인 HBM(고대역폭 메모리) 시장에서 삼성전자, SK하이닉스, 마이크론의 경쟁이 뜨거워지고 있습니다. 특히 내년 엔비디아가 선보일 차세대 AI 가속기 '루빈'에 탑재될 6세대 HBM4를 두고 각사의 기술 전략이 명확히 갈리고 있는데요. HBM4는 AI 반도체 시장의 다음 전환점을 결정할 중요한 기술로 부상했습니다.
삼성전자는 오는 27일부터 31일까지 열리는 사내 기술행사 '삼성기술전'에서 HBM4 12단 제품을 최초 공개할 예정입니다. 이 제품은 엔비디아 '루빈'의 핵심 부품으로, 삼성은 이를 통해 메모리 시장 점유율 1위 탈환과 수익성 회복을 목표로 하고 있습니다. 삼성의 전략은 첨단 파운드리 공정을 활용한 수직 계열화에 있습니다. 경쟁사 대비 뛰어난 성능의 6세대 DRAM을 각 층에 집어넣고, 로직 다이까지 자사 파운드리 공장에서 직접 생산하며 외부 의존도를 낮추고자 합니다.
검증된 기술과 새로운 도전
SK하이닉스는 5세대 HBM3E에서도 안정적인 수율과 성능을 입증했던 MR-MUF 접합 기술을 HBM4에도 적용합니다. 이 기술은 칩 여러 개에 고열을 가하며 액체를 넣어 한꺼번에 굳히는 방식으로, 검증된 기술을 바탕으로 점진적인 개선을 통해 경쟁사를 압박할 수 있다고 보고 있습니다. 현재 SK하이닉스는 엔비디아에 5세대 HBM을 대부분 납품하며 시장을 선도하고 있는 상황입니다.
반면 마이크론은 보다 보수적인 접근법을 선택했습니다. 기존 생산 공정을 유지하면서 설계 최적화를 통해 HBM4의 성능을 끌어올리는 전략인데요. 한국기업평가에 따르면 마이크론은 제품 개발 및 양산 시 불확실성을 최소화하는 데 초점을 맞추고 있습니다. 이는 기존 5세대 DRAM을 계속 사용하는 방식으로, 안정적인 생산을 통해 시장 경쟁력을 확보하려는 의도로 풀이됩니다.
패키징 기술이 결정할 승부
HBM4의 성능을 좌우하는 핵심 요소는 패키징 기술입니다. 삼성전자와 마이크론은 TC-NCF 접합 기술을 사용하지만 세부 전략은 다릅니다. TC-NCF는 칩 사이에 비전도성 필름을 넣고 열과 압력을 가해 층을 쌓는 방식인데, 이러한 기술적 차이가 각사의 경쟁력을 결정하는 중요한 변수가 될 전망입니다.
삼성전자의 기술 행보는 이번 HBM4 공개에만 그치지 않습니다. 미국 실리콘밸리에서 개최한 '2025 테크 포럼'에서 AI 비전을 공유하고, APEC 정상회의에서는 최초로 트라이폴드폰 실물을 공개하며 기술 리더십을 강화하고 있습니다. 특히 올해 상반기 연구개발비는 18조원으로 역대 최고를 기록하며 기술 중심 경영을 강조하고 있습니다.
시장조사기관들은 삼성의 HBM 시장 점유율이 내년 30%까지 확대될 것으로 전망하고 있습니다. 현재 삼성전자는 엔비디아의 퀄테스트를 진행 중이며, 성공적인 양산을 통해 반도체 시장에서의 위상을 재정립하려는 모습입니다. AI 메모리 시장의 패권 경쟁은 이제 본격적인 기술력 대결 단계로 접어들었습니다.