중국발 반도체 쇼크의 실체
중국 창신메모리(CXMT)가 수직형 4F 스퀘어 구조를 적용한 D램을 2026년 말 양산하겠다고 발표하면서 글로벌 메모리 시장이 술렁이고 있습니다. 기존 6F 수평형 구조와 달리 트랜지스터를 세로로 세워 웨이퍼 면적을 33% 줄이고 집적도를 50% 이상 끌어올리는 기술인데요. 삼성전자와 SK하이닉스도 같은 방향을 연구하고 있지만 양산 목표는 2028년입니다. 창신이 예고대로 올해 안에 양산에 들어간다면 한국 업체보다 2년 앞서는 셈입니다.
숫자가 말해주는 격차
다만 기술 발표와 실제 양산 사이에는 넘기 힘든 벽이 있습니다. 미국의 대중 제재로 극자외선(EUV) 노광 장비를 들여올 수 없는 창신은 10나노미터 초반 공정에 머물러 있고, 이 구간의 수율은 25~30% 수준입니다. 90% 안팎의 수율을 유지하는 한국 업체들과 비교하면 원가 경쟁력에서 밀릴 수밖에 없습니다. 업계가 "공정 수율과 양산 품질이 아직 입증되지 않았다"고 보는 이유입니다.
반대로 무시하기 어려운 대목도 있습니다. 2026년 2분기 창신의 D램 시장 점유율은 전년 대비 두 배 이상 뛰었습니다. 저가 범용 제품부터 잠식해 나가는 속도가 예사롭지 않다는 뜻입니다.
정부와 업계의 대응
김정관 산업통상자원부 장관은 호남 반도체 부지를 직접 찾아 중국과 경쟁국의 추격이 빠르게 올라오고 있다고 강조했습니다. 해외 애널리스트들은 창신의 주장이 마이크론과 샌디스크에 당장 위협이 되지 않는다는 7가지 근거를 내놓기도 했는데요. 핵심은 기술 발표보다 대량생산 역량이라는 점에서 양쪽 분석이 크게 다르지 않습니다.
한국 업계는 차세대 공정 개발과 생산 효율 확보에 속도를 내고 있습니다. 발표와 양산 사이의 간극을 누가 먼저 좁히느냐가 향후 메모리 시장의 판도를 가를 전망입니다.