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삼성전자, 3분기 HBM 점유율 30% 중후반 기록 및 2나노 수주 전년비 2배 목표
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삼성전자의 3분기 HBM 시장 점유율이 30% 중후반으로 상승하며 SK하이닉스(약 50%)와의 격차를 좁혔다. 강석채 삼성전자 파운드리 사업부 부사장은 2나노 공정 수주량을 전년 대비 2배 이상 확대할 계획이라고 발표했다.
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삼성전자의 3분기 HBM 시장 점유율이 30% 중후반으로 상승하며 SK하이닉스(약 50%)와의 격차를 좁혔다. 강석채 삼성전자 파운드리 사업부 부사장은 2나노 공정 수주량을 전년 대비 2배 이상 확대할 계획이라고 발표했다.
삼성전자의 3분기 HBM 시장 점유율이 30% 중후반으로 상승하며 SK하이닉스(약 50%)와의 격차를 좁혔다. 강석채 삼성전자 파운드리 사업부 부사장은 2나노 공정 수주량을 전년 대비 2배 이상 확대할 계획이라고 발표했다.
SK하이닉스는 10월 28일 실적 발표에서 2029년까지 향후 3년간의 DRAM 및 고대역폭메모리(HBM) 생산 용량이 사실상 완판되었다고 밝혔다. 2분기에 차세대 HBM4E 샘플 출하를 완료했으며, HBM4 개발 및 인증은 고객사 일정에 맞춰 진행 중이다.
SK하이닉스가 2029년까지의 DRAM 및 HBM 생산 능력이 모두 판매 완료되었다고 발표했다.
SK하이닉스가 인공지능(AI) 분야에 대한 투자 모멘텀이 앞으로도 계속될 것으로 예상한다고 밝혔다.
SK하이닉스가 2027년 DRAM 시장 수요가 전년 대비 20% 중반대 성장할 것으로 전망했다.
삼성전자와 SK하이닉스가 2027년 2분기에 엔비디아에 8단 HBM4 메모리를 양산 및 공급할 계획이다. 해당 메모리는 엔비디아의 차세대 제품인 루빈 울트라(Rubin Ultra)에 탑재될 예정이다.
ZDNet 코리아에 따르면 삼성전자와 SK하이닉스가 내년 2분기 엔비디아에 공급할 8단 HBM4의 양산 및 출하 시점을 확정했다. 엔비디아는 루빈 울트라(Rubin Ultra) 기반 NVL 시스템에 8단 HBM4를 채택할 예정이며, 내년 중반부터 공급 비중이 확대될 전망이다.
상하이와 선전 증시의 합산 거래량이 6거래일 연속 1.5조 위안을 초과했다.
HSBC는 미국 재무부가 오늘 발표될 분기 환매 계획에서 11월부터 2027년 1월까지 쿠폰 채권 경매 규모를 현행 유지할 것으로 전망했다. HSBC는 재무부가 내년 국채 공급 구성을 조정하며 선도 발행 가이던스를 수정할 수 있고, 2027년 5월부터 20년물과 30년물 발행을 소폭 줄이는 대신 2년물~5년물 발행을 늘릴 것으로 봤다.
Jin10 데이터에 따르면 오후 반도체 섹터가 급등하며 펑화 과학기술혁신 반도체 장비 ETF와 ChinaAMC 과학기술혁신 반도체 ETF 등 여러 ETF가 16% 가까이 상승했다. GF 반도체 장비 ETF, Guotai 반도체 장비 ETF, ChinaAMC 반도체 장비 ETF는 상한가에 도달했다.
러시아 국방부가 키이우주와 지토미르주 발전소 2곳을 공격했다고 밝혔다. 오데사 인근 해역의 화물선도 공격 대상이 됐고, 폴타바·드니프로·키로보흐라드·리브네주와 수도 키이우도 공격받았다고 우크라이나 비상서비스와 지역 당국이 밝혔다.
인도 MRPL 임원은 일부 정유 설비를 2027년 4월 유지보수를 위해 가동 중단할 것이라고 밝혔다.
월스트리트저널(WSJ)에 따르면 트럼프는 행정부 인사 변경 계획이 없으며 피트 헤그세스를 지지한다고 밝혔다.
월스트리트저널(WSJ)에 따르면 트럼프는 올해 초 이란 분쟁을 개시한 것을 후회하지 않는다고 밝혔다.