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삼성, 엔비디아 차세대 NVHBM 베이스 다이 TSMC 3nm 공정 채택

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삼성전자가 엔비디아의 차세대 맞춤형 고대역폭메모리(NVHBM) 개발 시 TSMC 3nm 공정으로 베이스 다이(Base Die)를 생산한다고 서울경제가 전했다. 엔비디아는 제품 일관성을 위해 삼성, SK하이닉스, 마이크론에 TSMC 3nm 베이스 다이와 6세대 DRAM 1c 공정 코어 다이(Core Die) 적용을 요구했다.

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