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삼성전자, 엔비디아 차세대 HBM 베이스 다이에 TSMC 3nm 공정 도입

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서울경제에 따르면 삼성전자가 엔비디아의 7세대 HBM4E 기반 맞춤형 고대역폭메모리(NVHBM) 베이스 다이 생산에 TSMC의 3nm 공정을 사용할 계획이다. 엔비디아는 성능 일관성을 위해 삼성전자, SK하이닉스, 마이크론에 동일 공정 채택을 요청했으며, 이는 삼성전자가 HBM 공정에서 TSMC와 협력하는 첫 사례다.

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  • TSTSMTaiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited
  • NVNVDANVIDIA Corporation

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